Samsung Модуль оперативной памяти для ноутбука 8 ГБ DDR4 260 PIN CL 19 PC4-21300, 2666 МГц, SODIMM, 1,2 В,

―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹― 🛫Одобренный магазин JOOM! Японские продавцы пересекают границы и поставляют продукцию высокого качества! 📦Отправлено из Японии! Мы надежно упакуем и доставим быстро и бережно! 🔍Благодаря строгой системе контроля в соответствии с японскими стандартами качества мы отбираем и поставляем только отличную продукцию! 📒Изделие может поставляться с руководством на японском языке.. Для перевода текста рекомендуется использовать приложение для распознавания символов! 👍Надеюсь, вы поможете нам сделать магазин еще лучше, подписавшись на нас и оставив отзыв!🥰 ―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹― ⚠️【Обязательно проверьте, попадают ли увиденные вами товары в следующие категории перед покупкой! 】 ✅【Совместимость по напряжению】 Электроприборы разработаны в соответствии с японскими спецификациями напряжения. (90-110В), поэтому изменение напряжения может привести к неисправности. ✅【Тип вилки】 В наших продуктах используется японский тип вилок. (Тип А или Тип В). При необходимости используйте переходной адаптер. ✅【Трансформаторы и адаптеры важны]】 Трансформатор регулирует напряжение в соответствии с требованиями устройства заказчика. Адаптер-переходник изменяет только форму вилки и не регулирует напряжение. Использование только адаптера-переходника без трансформатора может привести к повреждению изделия. ✅【Ответственность】 Мы не несем ответственности за любые неисправности или повреждения, вызванные неправильным использованием, например, эксплуатацией изделия без трансформатора. ―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹―🔹― Общая мощность: 8GB (M471A1K43CB1-CTD). Фактор формы: 260-контактный SODIMM. Характеристики: DDR4 PC4-21300, CL=19, небуферизованная, NON-ECC, DDR4-2666, 1,2 В. скорость: 2666 МГц. Пожизненная гарантия Samsung 8 ГБ DDR4 PC4-21300 2666 МГц SODIMM M471A1K43CB1-CTD