SAMSUNG 8 ГБ DDR4 3200 МГц 1Rx8 SODIMM Модуль оперативной памяти для ноутбука PC4-25600 1,2 В 260-контактный M471A1K43DB1-CWE

Совместимость напряжения】 При использовании электроприборов следует учитывать, что они рассчитаны на японские спецификации напряжения. (90-110В), поэтому если вы используете их с другим напряжением, это может привести к неисправности.

【Тип штекера】 В наших продуктах используются японские типы вилок. (Тип А или В). При необходимости используйте переходной адаптер.

【Важное примечание о трансформаторах и адаптерах】 Трансформатор регулирует напряжение в соответствии с требованиями вашего устройства. Адаптер-переходник изменяет только форму вилки и не регулирует напряжение. Использование только адаптера-переходника без трансформатора может привести к повреждению изделия.

【Обязанность】 Мы не несем ответственности за неисправности или повреждения, вызванные неправильным использованием, например, эксплуатацией изделия без трансформатора. Память Samsung DDR4 RAM | Номер детали: M471A1K43DB1-CWE или M471A1K43EB1-CWE. Один модуль оперативной памяти объемом 8 ГБ, DDR4 SO-DIMM 260 контактов, максимальная скорость 3200 МГц, PC4-25600(PC4-3200AA). Не-ECC небуферизованный; 1Rx8 (одиночный ранг x8); Стандарт JEDEC DDR4 1,2 В. Совместимо с некоторыми ноутбуками и ноутбуками. Расширьте доступные ресурсы памяти вашей системы, повысьте производительность, сократите узкие места и увеличьте рабочую нагрузку. Марка:Samsung Тип памяти: DDR4 Объем памяти: один модуль 8 ГБ Фактор формы: SO-DIMM (260 контактов) Тип ЕСС: Не-ECC небуферизованный скорость: 3200 МГц (ПК4-25600 / ПК4-3200АА). Классифицировать: 1Rx8-Один ряд x8 напряжение: 1.2V Совместимо с ноутбуками и лэптопами.