Samsung Модуль оперативной памяти для ноутбука 8 ГБ DDR4 PC4-21300, 2666 МГц, 260-контактный SODIMM, 1,2 В, CL 19

Мы предлагаем широкий ассортимент продукции, и к некоторым из них применяются следующие меры предосторожности:. Обратите внимание, что они указаны для всех продуктов. 【Совместимость по напряжению】Разработано для японского напряжения (90-110В). Использование другого напряжения может привести к неисправности. 【Тип вилки】Японские вилки (Тип А или В). При необходимости используйте переходной адаптер. 【Трансформаторы и адаптеры】Трансформаторы регулируют напряжение; адаптеры только изменяют форму вилки. Использование адаптера без трансформатора может привести к повреждению изделия. 【Ответственность】Мы не несем ответственности за ущерб, вызванный неправильным использованием, например, использованием изделия без трансформатора. Общая мощность: 8GB (M471A1K43CB1-CTD). Фактор формы: 260-контактный SODIMM. Характеристики: DDR4 PC4-21300, CL=19, небуферизованная, NON-ECC, DDR4-2666, 1,2 В. скорость: 2666 МГц. Пожизненная гарантия Samsung 8 ГБ DDR4 PC4-21300 2666 МГц SODIMM M471A1K43CB1-CTD