Samsung M471A1K43BB0-CPB 8 ГБ PC4-17000 DDR4-2133 МГц Non-ECC небуферизованный CL15 260-контактный SoDimm 1.2 В одноранговый модуль памяти - OEM

Мы предлагаем широкий ассортимент продукции, и к некоторым из них применяются следующие меры предосторожности:. Обратите внимание, что они указаны для всех продуктов. 【Совместимость по напряжению】Разработано для японского напряжения (90-110В). Использование другого напряжения может привести к неисправности. 【Тип вилки】Японские вилки (Тип А или В). При необходимости используйте переходной адаптер. 【Трансформаторы и адаптеры】Трансформаторы регулируют напряжение; адаптеры только изменяют форму вилки. Использование адаптера без трансформатора может привести к повреждению изделия. 【Ответственность】Мы не несем ответственности за ущерб, вызванный неправильным использованием, например, использованием изделия без трансформатора. Производитель: Samsung | Номер детали: M471A1K43BB0-CPB | Касс: КЛ15. Тип памяти: SODIMM | Емкость: 8 ГБ | Контакты: 260 пинов | Рейтинг: Ранг 1. Тип автобуса: PC-17000 | Исправление ошибок: Non-ECC | Частота памяти: 266МГц Время цикла: 0.93нс | Скорость передачи данных: 2133 МГц | Напряжение: 1.2. Модуль памяти поставляется только в OEM-упаковке — розничных коробок нет. Samsung M471A1K43BB0 8 ГБ 1Rx8 DDR4 SO-DIMM PC4-17000 2133 МГц 260-контактный Non-ECC CL15 1,2 В Модуль памяти для ноутбука M471A1K43BB0-CPB. модель: Номер детали M471A1K43BB0: Совместимый номер детали M471A1K43BB0-CPB: PC4-2133P-SA0-10 Емкость памяти: Тип памяти 8 ГБ: Контакты DDR4 SDRAM: Скорость вращения 260 штифтов: Тип шины 2133 МГц: PC4-17000 Ранг: Один (1Rx8) КАС Лат. ency:Исправление ошибок CL15 (ECC): Напряжение без ECC: Форм-фактор 1,2 В: Тип SO-DIMM: Память ноутбука