Инфракрасный фотоэлектрический датчик M12, диффузное отражение, E3F1-DS5C4, DC 3-проводной NPN, нормально открытый, 24 В

Этот высокопроизводительный инфракрасный фотоэлектрический датчик предназначен для надежного обнаружения объектов с использованием технологии диффузного отражения.. Оснащенный 3-проводной конфигурацией постоянного тока NPN, он имеет нормально открытый выход, обеспечивая бесшовную интеграцию в различные системы автоматизации.. Работающий от 24 В, этот датчик оптимизирован для обеспечения точности и эффективности при обнаружении объектов в пределах его диапазона обнаружения.. Его прочная конструкция и передовая технология делают его идеальным для промышленных применений, требующих точных и стабильных возможностей обнаружения. Тип структуры: цилиндрический Метод обнаружения: Тип диффузного отражения напряжение: 6~36 Метод вывода: NPN нормально открыт Рабочая температура окружающей среды: -25 ~ 55 использование: Механическое оборудование Страна производитель: Китай Инструкции включены: нет